Anisotropic stress observation of 4H‐SiC trench metal‐oxide semiconductor field‐effect transistor test structures by scanning near‐field optical Raman microscope
Fuente:
Wiley Open Access
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| Formato: | Artículo Open Access |
| Publicado: |
Wiley
2024
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| DOI: | 10.1002/jrs.6685 |
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