Normally‐Off Top‐Gate Self‐Aligned Field‐Effect Transistor Including Crystal InOx Formed by Hydrogen Gas‐Free Sputtering With Channel Length of 3 μm and High Field‐Effect Mobility Over 75 cm 2 /Vs Fabricated through 400°C Process
Fuente:
Wiley Open Access
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artículo Open Access |
| Publicado: |
Wiley
2026
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
| DOI: | 10.1002/jsid.70067 |
|---|