A highly survivable X‐band low noise amplifier based on GaN HEMT technology and impact of pulse width on recovery time

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Muhammad Imran Nawaz, Salahuddin Zafar, Busra Cankaya Akoglu, Gizem Tendurus Caglar, Abdullah Hannan, Emirhan Urfali, Erdem Aras, Ekmel Ozbay
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	Microwave and Optical Technology Letters
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