Impact of Parasitic Conductive Interfaces on the DC and RF Performance of GaN‐on‐GaN HEMTs

Fuente: Wiley Open Access

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Amer Bassal, Serguei Chevtchenko, Frank Schnieder, Thomas Flisgen, Olof Bengtsson, Frank Brunner, Oliver Hilt
Formato:	Artículo Open Access
Publicado:	Wiley 2025
Materias:	physica status solidi (a)
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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