P‐1.6: Junction Resistance and Junction Diffusion Depth in InGaZnO‐based Thin Film Transistors (TFTs) with Thermally induced Source/Drain Region

Fuente: Wiley Open Access

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Zhichao Zhou, Yiyi Zhu, Xiaoliang Zhou, Xu Wang, Zhongjie Liu, Zhiwei Tan
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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