P‐1.9: Enhanced Stability Under Positive Bias Temperature Stress of Ln‐Doped InZnO Thin Film Transistors Fabricated with Back‐channel‐etch Structure
Fuente:
Wiley Open Access
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artículo Open Access |
| Veröffentlicht: |
Wiley
2024
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