P‐1.11: Back‐End‐of‐Line Compatible Al‐doped Indium Zinc Oxide Transistors with Excellent Thermal Stability

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Jingye Xie, Jianbing Shi, Junchen Dong, Zongwei Wang, Yimao Cai, Dedong Han, Xing Zhang
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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