P‐7.3: Numerical modeling of GaN growth by MOCVD on metal substrate

Fuente: Wiley Open Access

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Xiubo Fang, Kui Pan, Tianwen Xia, Qinzhong Chen, Ke Zhang, Qinglong Hou, Yongsheng Wu, Hengshan Liu, Jie Sun, Qun Yan, Tailiang Guo
Formato:	Artículo Open Access
Publicado:	Wiley 2024
Materias:	SID Symposium Digest of Technical Papers
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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