30‐2: Hydrogen Contents Controlled Silicon Nitride Passivation Layer for Highly Reliable IGZO Thin Film Transistor

Fuente: Wiley Open Access

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Bokyoung Lee, Yongil Kim, Jungho Bang, Seung Hee Nam, Ji Yong Noh, Kwon-Shik Park, Soo Young Yoon
Format:	Artículo Open Access
Veröffentlicht:	Wiley 2024
Schlagworte:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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