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P‐20: Memory Window and Endurance Improvement of In‐Ga‐Zn‐O‐Based Ferroelectric Thin Film Transistors by Inserting In‐Ga‐Zn‐O Floating Gate

Fuente: Wiley Open Access

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SeungYoon Shin, Yuseong Jang, Junhyeong Park, Soo-Yeon Lee
Format:	Artículo Open Access
Veröffentlicht:	Wiley 2024
Schlagworte:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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