4‐3: Silicon‐Oxide Thin Films Deposited by Plasma‐Enhanced Atomic Layer Deposition for High Mobility Oxide TFT
Fuente:
Wiley Open Access
Salvato in:
| Autori principali: | Heeyong Lee, Choelmin Jang, Junggon Kim, Myungsoo Huh, Cheollae Roh |
|---|---|
| Natura: | Artículo Open Access |
| Pubblicazione: |
Wiley
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
97‐3: Late‐News Paper: Enhanced IGZO TFT Performance with Atomic Layer Deposition Parameter Optimization for Large OLED Displays
di: Heung Jo Lee, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Heung Jo Lee, et al.
Pubblicazione: (2024)
4‐4: Finetuning the Microstructure of Metal‐Oxide Targets to Optimize Sputter Behavior for Thin Films in TFT
di: E. Franzke, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: E. Franzke, et al.
Pubblicazione: (2025)
56‐2: The Effects of Oxides Deposited Using Different Precursors on the Characteristics of Top‐Gate Indium‐Tin‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistors with Self‐Aligned, Oxygen‐Plasma Activated Source/Drain Regions
di: Xinying Xie, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Xinying Xie, et al.
Pubblicazione: (2025)
18‐2: Efficient Methodology for Increasing Atomic Layer Deposition Throughput by Optimizing Deposition Rate of SiO2 Film
di: Tao Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Tao Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐1.34: Recent Developments in Vertial Amorphous Oxide Semiconductor (AOS) Thin‐Film Transistor (TFT) Devices
di: Qianqian Bu, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Qianqian Bu, et al.
Pubblicazione: (2025)
1‐1: Oxide Semiconductor Thin‐Film Transistors with High Mobility and Stability
di: Guowen Yan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Guowen Yan, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐3: High Uniform and Stable Oxide TFT Devices with High Mobility for AMOLEDDisplay
di: Guowen Yan, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Guowen Yan, et al.
Pubblicazione: (2025)
22‐1: Invited Paper: About a Trench Oxide TFT
di: Do Hyung Kim, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Do Hyung Kim, et al.
Pubblicazione: (2024)
88‐3: Fast Selective Laser‐Induced Etching and Asymmetric 3D Hologram Laser Beam for Narrow Bezel Thin Display †
di: Hyungsik Kim, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Hyungsik Kim, et al.
Pubblicazione: (2024)
62‐3: Invited Paper: High‐Mobility Metal‐Oxide TFT Development for IT AMOLED Applications
di: Fa-Hsyang Chen, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Fa-Hsyang Chen, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐19: High Mobility and Reliability Oxide Stacked TFT for Application to Next Generation Display
di: Chuanbao Luo, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Chuanbao Luo, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐11: High Mobility BCE Oxide TFT Technology for Demux Driving Notebook LCD
di: Ming-Jiue Yu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Ming-Jiue Yu, et al.
Pubblicazione: (2024)
53‐3: Peelable Inkjet Protective Film Process Development for MicroLED
di: Jongduk Roh, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Jongduk Roh, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐21: Post‐Annealing Optimization for Top‐Gate Amorphous In‐Ga‐Zn‐O Thin‐Film Transistors with Atomic‐Layer‐Deposited Ultrathin AlO x Dielectric
di: Jiye Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jiye Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
89‐2: Cutting‐Edge Laser Forming in High‐Precision Hole Fabrication for Thin Glass Applications
di: Meenkyo Seo, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Meenkyo Seo, et al.
Pubblicazione: (2025)
64‐4: ECR Plasma Source for Copper Thin Film Dry Etching
di: Jin Nyoung Jang, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jin Nyoung Jang, et al.
Pubblicazione: (2024)
17‐1: Persistent Photoconductivity Suppression in Amorphous Oxide Thin‐Film Transistors with Double‐Stacked Channel Layers
di: Liangdong Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Liangdong Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐11.8: GaN‐Based Micro‐LED Sidewall Defect Reduction via Plasma Pre‐Treatment and Atomic Layer Deposition
di: Zhaoyong Liu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhaoyong Liu, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐22: Fabrication of Ultra Short Channel Oxide Thin Film Transistors
di: Jiangbo Yao, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jiangbo Yao, et al.
Pubblicazione: (2024)
70‐2: Invited Paper: Advanced Oxide TFT Technology for OLED Display by Applying ALD Process
di: Seung-Chan Choi, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Seung-Chan Choi, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐5.16: 1Hz Display Based on Oxide TFT LCD
di: Zhang Haoxiong, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhang Haoxiong, et al.
Pubblicazione: (2025)
12‐4: Inorganic Halide Perovskite Thin Films Realized by Pulsed Laser Deposition over Large Area for MicroLEDs Color Conversion Layers
di: Elsa Parrat, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Elsa Parrat, et al.
Pubblicazione: (2024)
64‐5: Virtual ESD Failure Detection Methodology for Oxide TFT Based OLED Panels
di: Hyun Sung Park, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Hyun Sung Park, et al.
Pubblicazione: (2024)
15‐3: Oxide‐TFT‐Integrated OLED Fibers for High‐Performance Self‐Powered Textile Displays
di: Na-Young Kwon, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Na-Young Kwon, et al.
Pubblicazione: (2025)
11‐3: Positive Shift of the Turn‐On Voltage of Indium‐Gallium‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistors with Reduced Active Layer Thickness
di: Runxiao Shi, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Runxiao Shi, et al.
Pubblicazione: (2025)
27‐1: Invited Paper: CCZA Copper Alloy Electrodes for Metal Oxide TFT
di: Ning Honglong, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Ning Honglong, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐7.4: Study on The Effect of Organic Thin‐film on Electrical Characteristics of Amorphous Silicon TFT
di: Hejing Zhang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Hejing Zhang, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐265: Tailoring SS of a‐IGZO TFT through Defect Formation Mechanism during PEALD Deposition Sequences
di: Seong Hun Yoon, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Seong Hun Yoon, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐1.33: The Novel Temperature and Voltage Sensors Achieved by High‐mobility Oxide TFT
di: Yuhua Dong, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yuhua Dong, et al.
Pubblicazione: (2025)
30‐2: Hydrogen Contents Controlled Silicon Nitride Passivation Layer for Highly Reliable IGZO Thin Film Transistor
di: Bokyoung Lee, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Bokyoung Lee, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐68: Oxide Semiconductor Thin‐Film Transistor‐Based Micro‐LED Pixel Circuit with External Current Setting System
di: Hye-Won Woo, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Hye-Won Woo, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐17: Development of Vertical Oxide Channel Thin Film Transistor Based on Hard‐Mask Etching
di: Binbin Tong, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Binbin Tong, et al.
Pubblicazione: (2024)
20‐1: Influence of Tungsten Doping Content on the Reliability of Indium Zinc Oxide Thin‐Film Transistors
di: Bin Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Bin Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐156: Efficiency Improvement Mechanism Analysis of Sidewall Passivation GaN based Micro‐LEDs by Atomic Layer Deposition
di: Mengyuan Zhanghu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Mengyuan Zhanghu, et al.
Pubblicazione: (2024)
P‐1.25: Non‐Volatile Charge Trap Memory Transistor Employing Indium Tungsten Oxide Thin Film as Active Channel and Charge Trap Layer
di: RuiPeng Shen, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: RuiPeng Shen, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐221: All Inkjet‐Printed Inverted Electroluminescent Quantum Dot Light Emitting Diode Display Based on Metal Oxide Thin Film Transistors
di: Jiyoon Kim, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jiyoon Kim, et al.
Pubblicazione: (2024)
74‐3: Invited Paper: Polycrystalline Indium Oxide Thin‐Film Transistors formed by Solid‐Phase Crystallization
di: Mamoru Furuta, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Mamoru Furuta, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐1.5: Thermal Stability of Short‐Channel Elevated‐Metal Metal‐Oxide Thin‐Film Transistors
di: Yujie Jiang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yujie Jiang, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐1.20: Investigation of Illumination and Temperature on the Stability of Indium‐Gallium‐Zinc‐Oxide Thin‐Film Transistors
di: Yuli He, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yuli He, et al.
Pubblicazione: (2025)
P‐1.39: High Performance Top Gage Oxide TFT Technology for Demux Driving Notebook LCD
di: Huan-Qin Zheng, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Huan-Qin Zheng, et al.
Pubblicazione: (2025)
Documenti analoghi
-
97‐3: Late‐News Paper: Enhanced IGZO TFT Performance with Atomic Layer Deposition Parameter Optimization for Large OLED Displays
di: Heung Jo Lee, et al.
Pubblicazione: (2024) -
4‐4: Finetuning the Microstructure of Metal‐Oxide Targets to Optimize Sputter Behavior for Thin Films in TFT
di: E. Franzke, et al.
Pubblicazione: (2025) -
56‐2: The Effects of Oxides Deposited Using Different Precursors on the Characteristics of Top‐Gate Indium‐Tin‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistors with Self‐Aligned, Oxygen‐Plasma Activated Source/Drain Regions
di: Xinying Xie, et al.
Pubblicazione: (2025) -
18‐2: Efficient Methodology for Increasing Atomic Layer Deposition Throughput by Optimizing Deposition Rate of SiO2 Film
di: Tao Wang, et al.
Pubblicazione: (2025) -
P‐1.34: Recent Developments in Vertial Amorphous Oxide Semiconductor (AOS) Thin‐Film Transistor (TFT) Devices
di: Qianqian Bu, et al.
Pubblicazione: (2025)