11‐3: Positive Shift of the Turn‐On Voltage of Indium‐Gallium‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistors with Reduced Active Layer Thickness

Fuente: Wiley Open Access

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Runxiao Shi, Wenda Zhao, Wei Jiang, Tengteng Lei, Junjie Li, Yushen Hu, Gang Chen, Lei Lu, Man Wong
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2025
Sujets:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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