56‐2: The Effects of Oxides Deposited Using Different Precursors on the Characteristics of Top‐Gate Indium‐Tin‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistors with Self‐Aligned, Oxygen‐Plasma Activated Source/Drain Regions

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Xinying Xie, Man Wong
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2025
Sujets:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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