56‐2: The Effects of Oxides Deposited Using Different Precursors on the Characteristics of Top‐Gate Indium‐Tin‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistors with Self‐Aligned, Oxygen‐Plasma Activated Source/Drain Regions
Fuente:
Wiley Open Access
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| Autores principales: | , |
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| Formato: | Artículo Open Access |
| Publicado: |
Wiley
2025
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