Achieving Exceptional Stability in Self‐Aligned Coplanar Amorphous Oxide Thin‐Film Transistors through Hydrogen Scavenger Layer
Fuente:
Wiley Open Access
Guardado en:
| Autores principales: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Artículo Open Access |
| Publicado: |
Wiley
2025
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | |
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| DOI: | 10.1002/sstr.202500232 |
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