Observation of Fully Recoverable Leakage Behaviour in HfO2 Gate Oxide of WS2 2D FETs Induced by Local Mechanical Stress

Fuente: Zenodo

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Vishwakarma, Kavita, Kaczer, Ben, Smets, Quentin, Panarella, Luca, Kruv, Anastasiia, Schram, Tom, Gonzalez, Mario, Orkut Okudur, Oguzhan, Yao, Yao, De Wolf, Ingrid
Formato:	Recurso digital
Publicado:	Zenodo 2025
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Descripción
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