Observation of Fully Recoverable Leakage Behaviour in HfO2 Gate Oxide of WS2 2D FETs Induced by Local Mechanical Stress

Fuente: Zenodo

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Vishwakarma, Kavita, Kaczer, Ben, Smets, Quentin, Panarella, Luca, Kruv, Anastasiia, Schram, Tom, Gonzalez, Mario, Orkut Okudur, Oguzhan, Yao, Yao, De Wolf, Ingrid
Format:	Recurso digital
Publié:	Zenodo 2025
Accès en ligne:	Acceder al recurso
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Internet