Measurement of Free-Carrier Density in a 1.2 kV SiC Schottky Diode under Overstress Conditions

Fuente: Zenodo

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Bonet Isidro, Ferran, Aviñó Salvadó, Oriol, JORDA, Xavier, Perpiñà, Xavier
Format:	Recurso digital
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Zenodo 2025
Schlagworte:	Free-carrier density Temperature depth-resolved analysis incomplete dopant ionization refractive index gradient
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