Measurement of Free-Carrier Density in a 1.2 kV SiC Schottky Diode under Overstress Conditions

Fuente: Zenodo

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Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Bonet Isidro, Ferran, Aviñó Salvadó, Oriol, JORDA, Xavier, Perpiñà, Xavier
Natura:	Recurso digital
Lingua:	inglese
Pubblicazione:	Zenodo 2025
Soggetti:	Free-carrier density Temperature depth-resolved analysis incomplete dopant ionization refractive index gradient
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