Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog'liqligini taxlil qilish
Fuente:
Zenodo
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Recurso digital |
| Pubblicazione: |
Zenodo
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
| _version_ | 1866902137491947520 |
|---|---|
| author | I.M.Soliyev |
| author_facet | I.M.Soliyev |
| contents | <p><span lang="EN-US">Ushbu maqolada Bi (vismut) asosidagi aralashma eritmalar yordamida qattiq qorishmalarni suyuq fazadan epitaksiyalash jarayoni o‘rganildi. Asosiy e’tibor (Ge₂)₁₋ₓ₋</span><span>ᵧ</span><span lang="EN-US">(ZnSe)₁₋ₓ(GaAs₁₋</span><span>δ</span><span lang="EN-US">Bi</span><span>δ</span><span lang="EN-US">)</span><span>ᵧ</span><span lang="EN-US"> turdagi qattiq qorishmalarning o‘sish sharoitlari va struktura xossalariga qaratildi. Aralashma eritmada komponentlarning eruvchanligi, eritma tarkibi va o‘sish tezligining qatlam strukturasiga ta’siri eksperimental tarzda tahlil qilindi. Tadqiqotlar vismut eritmasida Ge₂, GaAs va ZnSe ning molekulyar diffuziya asosida o‘sishini va aralashma eritmaning to‘yinganlik darajasining muhimligini ko‘rsatdi. Harorat, sovitish tezligi va substratlar orasidagi masofa kabi texnologik parametrlarning epitaksiyalanish jarayoniga ta’siri baholandi.</span></p> |
| format | Recurso digital |
| id | zenodo_https___doi_org_10_5281_zenodo_17066380 |
| institution | Zenodo |
| language | |
| publishDate | 2025 |
| publisher | Zenodo |
| record_format | zenodo |
| spellingShingle | Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog'liqligini taxlil qilish I.M.Soliyev Suyuq fazadan epitaksiyalanish, qattiq qorishmalar, vismut eritmasi, molekulyar diffuziya, Ge₂, GaAs, ZnSe, eruvchanlik, kristallanish, to'yingan eritma <p><span lang="EN-US">Ushbu maqolada Bi (vismut) asosidagi aralashma eritmalar yordamida qattiq qorishmalarni suyuq fazadan epitaksiyalash jarayoni o‘rganildi. Asosiy e’tibor (Ge₂)₁₋ₓ₋</span><span>ᵧ</span><span lang="EN-US">(ZnSe)₁₋ₓ(GaAs₁₋</span><span>δ</span><span lang="EN-US">Bi</span><span>δ</span><span lang="EN-US">)</span><span>ᵧ</span><span lang="EN-US"> turdagi qattiq qorishmalarning o‘sish sharoitlari va struktura xossalariga qaratildi. Aralashma eritmada komponentlarning eruvchanligi, eritma tarkibi va o‘sish tezligining qatlam strukturasiga ta’siri eksperimental tarzda tahlil qilindi. Tadqiqotlar vismut eritmasida Ge₂, GaAs va ZnSe ning molekulyar diffuziya asosida o‘sishini va aralashma eritmaning to‘yinganlik darajasining muhimligini ko‘rsatdi. Harorat, sovitish tezligi va substratlar orasidagi masofa kabi texnologik parametrlarning epitaksiyalanish jarayoniga ta’siri baholandi.</span></p> |
| title | Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog'liqligini taxlil qilish |
| topic | Suyuq fazadan epitaksiyalanish, qattiq qorishmalar, vismut eritmasi, molekulyar diffuziya, Ge₂, GaAs, ZnSe, eruvchanlik, kristallanish, to'yingan eritma |
| url | https://doi.org/10.5281/zenodo.17066380 |