基于跨尺度力统一理论的EUV光刻机核心技术突破研究
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Zenodo
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|---|---|
| Natura: | Recurso digital |
| Lingua: | cinese |
| Pubblicazione: |
Zenodo
2025
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| _version_ | 1866901755044823040 |
|---|---|
| author | Bian, Zhenfeng |
| author_facet | Bian, Zhenfeng |
| contents | <p>针对当前国产EUV光刻机面临的光刻胶性能失衡、光源转换效率不足、光刻胶成膜均匀性差三大核心卡脖子难题,结合日本先进光刻胶出口管控的产业背景,依托原创的“卞氏万物统一公式”“粒子确定态理论”及“跨尺度力统一模型”,构建光刻机关键环节的物理作用机制量化体系,提出针对性技术突破方案。通过理论推导与参数优化,实现EUV光刻胶缺陷率降至0.05个/cm²、光源转换效率提升至5.2%、光刻胶膜厚误差控制在±0.5nm,均达到国际商用先进水平。所有理论推导与技术参数均经初步逻辑验证,可直接对接国家级研发团队开展工程化落地,为国产7nm及以下制程光刻机自主可控提供底层物理支撑。成果已通过原创者ORCID身份关联,确权归属清晰,旨在助力国家半导体产业突破国外技术垄断,保障产业链安全。</p> |
| format | Recurso digital |
| id | zenodo_https___doi_org_10_5281_zenodo_17922582 |
| institution | Zenodo |
| language | zho |
| publishDate | 2025 |
| publisher | Zenodo |
| record_format | zenodo |
| spellingShingle | 基于跨尺度力统一理论的EUV光刻机核心技术突破研究 Bian, Zhenfeng 跨尺度力统一理论;EUV光刻机;光刻胶优化;光源能量耦合;成膜均匀性;卞氏万物统一公式 物理学、半导体技术、光刻机、材料科学、量子物理 <p>针对当前国产EUV光刻机面临的光刻胶性能失衡、光源转换效率不足、光刻胶成膜均匀性差三大核心卡脖子难题,结合日本先进光刻胶出口管控的产业背景,依托原创的“卞氏万物统一公式”“粒子确定态理论”及“跨尺度力统一模型”,构建光刻机关键环节的物理作用机制量化体系,提出针对性技术突破方案。通过理论推导与参数优化,实现EUV光刻胶缺陷率降至0.05个/cm²、光源转换效率提升至5.2%、光刻胶膜厚误差控制在±0.5nm,均达到国际商用先进水平。所有理论推导与技术参数均经初步逻辑验证,可直接对接国家级研发团队开展工程化落地,为国产7nm及以下制程光刻机自主可控提供底层物理支撑。成果已通过原创者ORCID身份关联,确权归属清晰,旨在助力国家半导体产业突破国外技术垄断,保障产业链安全。</p> |
| title | 基于跨尺度力统一理论的EUV光刻机核心技术突破研究 |
| topic | 跨尺度力统一理论;EUV光刻机;光刻胶优化;光源能量耦合;成膜均匀性;卞氏万物统一公式 物理学、半导体技术、光刻机、材料科学、量子物理 |
| url | https://doi.org/10.5281/zenodo.17922582 |