Resultados de búsqueda - Feng, Ang

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    Accurate Modeling of Gate Leakage Currents in SiC Power MOSFETs Autoría: Feng, Ang, Karl, Alexander, Waldhör, Dominic, Avramenko, Marina, Moens, Peter, Grasser, Tibor

    Publicado 2025
    Fuente: arXiv
    Tipo de material: Preprint
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