Risultati della ricerca - Guoping Su

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    P‐7.22: Pulsed laser deposition of wide‐band gap and low leakage current density hafnium oxide thin films Autoría: Dingrong Liu, Zihan Zhang, Rihui Yao, Guoping Su, Zhenchao Li, Kuankuan Lu, Haoyan Chen, Honglong Ning, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2024
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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  2. 2
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    Enhanced Mobility and Stability in Solution‐Processed Mo–Pr Co‐Doped In 2 O 3 TFTs Guided by Machine Learning Optimization Autoría: Weixin Cheng, Yuexin Yang, Han Li, Xiaoqin Wei, Honglong Ning, Guoping Su, Shaojie Jin, Chenbo Min, Rihui Yao, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2025
    Fuente: Wiley Open Access
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  3. 3
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    35‐2: Invited Paper: High entropy metal oxides as dielectric layers prepared by spin‐coating and application in thin film transistors Autoría: Zhihao Liang, Weijing Wu, Xiao Fu, Honglong Ning, Dongxiang Luo, Tian Qiu, Zhao Yang, Guoping Su, Rihui Yao, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2024
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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  4. 4
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    P‐7.20: Performance Control of Printed Graphene Based on Interlayer Annealing Autoría: Jinyao Zhong, Zehua Yang, Hongliang Li, Honglong Ning, Guoping Su, Zhenchao Li, Kuankuan Lu, Haoyan Chen, Rihui Yao, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2024
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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  5. 5
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    P‐7.13: Flexible metal oxide electrodes based on work function adaptation and the application to fully transparent thin film transistors Autoría: Zhihao Liang, Weijin Wu, Xiao Fu, Hua Zheng, Honglong Ning, Guoping Su, Weixin Cheng, Yonglin Yang, Rihui Yao, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2025
    Fuente: Wiley Open Access
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  6. 6
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    P‐7.23: Al 2 O 3 ‐HfO 2 Composite Dielectric Layer for Thin‐film Transistors with High Bias Stability Autoría: Guoping Su, Honglong Ning, Han Li, Hua Zheng, Xiaoqin Wei, Han He, Bocheng Jiang, Jiahao Zheng, Rihui Yao, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2025
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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  7. 7
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    Hafnium‐Based Ferroelectric Field‐Effect Transistors With Oxide Semiconductors: Ferroelectric Materials Optimizations, Prospects, and Challenges Autoría: Guoping Su, Hongbin Zhang, Zhenchao Li, Honglong Ning, Dongxiang Luo, Han He, Jiahao Zheng, Yuan Chi, Rihui Yao, Junbiao Peng

    Pubblicazione 2026
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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