Suchergebnisse - Han, Runhao

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    Unveiling Retention Loss Mechanism in FeFETs with Gate-side Interlayer by Decoupling Trapped Charges and Ferroelectric Polarization Autoría: Han, Runhao, Hu, Tao, Yang, Jia, Dai, Saifei, Ding, Yajing, Bai, Mingkai, Shao, Xianzhou, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Luo, Qing, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun, Wang, Xiaolei

    Veröffentlicht 2025
    Fuente: arXiv
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    Impact of Top SiO2 interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) Gate Structure Autoría: Hu, Tao, Shao, Xianzhou, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Sun, Xiaoqing, Han, Runhao, Yang, Jia, Ke, Xiaoyu, Tian, Fengbin, Yang, Shuai, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun

    Veröffentlicht 2024
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    Impact of the Top SiO2 Interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) Gate Structure Autoría: Hu, Tao, Shao, Xianzhou, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Sun, Xiaoqing, Han, Runhao, Yang, Jia, Ke, Xiaoyu, Tian, Fengbin, Yang, Shuai, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun

    Veröffentlicht 2024
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    Effect of Top Al$_2$O$_3$ Interlayer Thickness on Memory Window and Reliability of FeFETs With TiN/Al$_2$O$_3$/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/SiO$_x$/Si (MIFIS) Gate Structure Autoría: Hu, Tao, Jia, Xinpei, Han, Runhao, Yang, Jia, Bai, Mingkai, Dai, Saifei, Chen, Zeqi, Ding, Yajing, Yang, Shuai, Han, Kai, Wang, Yanrong, Zhang, Jing, Zhao, Yuanyuan, Ke, Xiaoyu, Sun, Xiaoqing, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun

    Veröffentlicht 2024
    Fuente: arXiv
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  5. 5
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    Investigation of the Physical Mechanism behind Retention Loss in FeFETs with MIFIFIS Gate Structure Autoría: Hu, Tao, Chen, Zeqi, Han, Runhao, Jia, Xinpei, Yang, Jia, Bai, Mingkai, Ji, Ruoyao, Ding, Yajing, Zhao, Mengwei, Li, Yuhan, Li, Kaiyi, Fan, Wenbo, Shao, Xianzhou, Sun, Xiaoqing, Han, Kai, Zhang, Jing, Wang, Yanrong, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun

    Veröffentlicht 2025
    Fuente: arXiv
    Tipo de material: Preprint
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