Backe, H., Lauth, W., Klag, P., & Caliste, T. N. T. (2024). Planar channeling of 855 MeV electrons in a boron-doped (110) diamond undulator -- a case study.
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Backe, H., W. Lauth, P. Klag, e Thu Nhi Tran Caliste. Planar Channeling of 855 MeV Electrons in a Boron-doped (110) Diamond Undulator -- a Case Study. 2024.
Citatione MLA (9a ed.)Backe, H., et al. Planar Channeling of 855 MeV Electrons in a Boron-doped (110) Diamond Undulator -- a Case Study. 2024.
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