Zhou, Y., Toit, D. F. T. d., Elliott, S. R., Zhang, W., & Deringer, V. L. (2025). Full-cycle device-scale simulations of memory materials with a tailored atomic-cluster-expansion potential.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Zhou, Yuxing, Daniel F. Thomas du Toit, Stephen R. Elliott, Wei Zhang, und Volker L. Deringer. Full-cycle Device-scale Simulations of Memory Materials with a Tailored Atomic-cluster-expansion Potential. 2025.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Zhou, Yuxing, et al. Full-cycle Device-scale Simulations of Memory Materials with a Tailored Atomic-cluster-expansion Potential. 2025.
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