Yang, D., & Masayoshi, T. (2025). Quantifying Flat-Band Voltage in Si Metal-Oxide-Semiconductor Structures: An Evaluation via Terahertz Emission Spectroscopy (TES).
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Yang, Dongxun, und Tonouchi Masayoshi. Quantifying Flat-Band Voltage in Si Metal-Oxide-Semiconductor Structures: An Evaluation via Terahertz Emission Spectroscopy (TES). 2025.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Yang, Dongxun, und Tonouchi Masayoshi. Quantifying Flat-Band Voltage in Si Metal-Oxide-Semiconductor Structures: An Evaluation via Terahertz Emission Spectroscopy (TES). 2025.
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