Salvato in:
| Autori principali: | Jeyakumar, Ranie, Venkatesan, Prasanna, Fernandes, Lance, Soliman, Salma, Ravikumar, Priyankka, Song, Taeyoung, Zhang, Chengyang, Hwang, Woohyun, Seo, Kwangyou, Lim, Suhwan, Kim, Wanki, Ha, Daewon, Yu, Shimeng, Datta, Suman, Khan, Asif |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2026
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://arxiv.org/abs/2603.10127 |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Physics-informed AI Accelerated Retention Analysis of Ferroelectric Vertical NAND: From Day-Scale TCAD to Second-Scale Surrogate Model
di: Jeong, Gyujun, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Jeong, Gyujun, et al.
Pubblicazione: (2026)
Materials Design Principles for Large Memory Windows: Coercive Voltage Engineering in Ferroelectric– Dielectric Heterostructures
di: Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026)
Materials Design Principles for Large Memory Windows: Coercive Voltage Engineering in Ferroelectric– Dielectric Heterostructures (Adv. Electron. Mater. 8/2026)
di: Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026)
Vertical NAND in a Ferroelectric-driven Paradigm Shift
di: Kim, Giuk, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Kim, Giuk, et al.
Pubblicazione: (2025)
FeNOMS: Enhancing Open Modification Spectral Library Search with In-Storage Processing on Ferroelectric NAND (FeNAND) Flash
di: Pinge, Sumukh, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Pinge, Sumukh, et al.
Pubblicazione: (2025)
The First Switch Effect in Ferroelectric Field-Effect Transistors
di: Ravikumar, Priyankka, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Ravikumar, Priyankka, et al.
Pubblicazione: (2026)
Conditions for domain-free negative capacitance
di: Ravindran, Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Ravindran, Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026)
ALD-Derived WO3-x Leads to Nearly Wake-Up-Free Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 at Elevated Temperatures
di: Afroze, Nashrah, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Afroze, Nashrah, et al.
Pubblicazione: (2026)
Engineering Wake-Up-Free Ferroelectric Capacitors with Enhanced High-Temperature Reliability
di: Afroze, Nashrah, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Afroze, Nashrah, et al.
Pubblicazione: (2026)
Middle Interlayer Engineered Ferroelectric NAND Flash Overcoming Reliability and Stability Bottlenecks for Next‐Generation High‐Density Storage Systems
di: Giuk Kim, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Giuk Kim, et al.
Pubblicazione: (2025)
An In-Situ Spatial-Temporal Sequence Detector for Neuromorphic Vision Sensor Empowered by High Density Vertical NAND Storage
di: Zhao, Zijian, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhao, Zijian, et al.
Pubblicazione: (2025)
Pulse-Mode Operation and Reliability of BEOL-Compatible Ferroelectric Non-Volatile Capacitive Memories with Amorphous Oxide Semiconductor Channels
di: Lee, Junmo, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Lee, Junmo, et al.
Pubblicazione: (2025)
Paving the Way for Pass Disturb Free Vertical NAND Storage via A Dedicated and String-Compatible Pass Gate
di: Zhao, Zijian, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhao, Zijian, et al.
Pubblicazione: (2024)
A Dual-Memory Ferroelectric Transistor Emulating Synaptic Metaplasticity for High-Speed Reservoir Computing
di: Wang, Yifan, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wang, Yifan, et al.
Pubblicazione: (2025)
A Dual‐Memory Ferroelectric Transistor Emulating Synaptic Metaplasticity for High‐Speed Reservoir Computing
di: Yifan Wang, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Yifan Wang, et al.
Pubblicazione: (2026)
Revisiting Residual Connections: Orthogonal Updates for Stable and Efficient Deep Networks
di: Oh, Giyeong, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Oh, Giyeong, et al.
Pubblicazione: (2025)
Enhanced Device Characteristics of Hybrid‐Channel (Poly‐Si/IGO) Structures with Ga 2 O 3 and Al 2 O 3 Interlayers by Suppressing Oxidation‐Induced Variability for Ultra‐High‐Density 3D NAND Flash Memory Applications
di: Taewon Hwang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Taewon Hwang, et al.
Pubblicazione: (2025)
Probabilistic Tree Inference Enabled by FDSOI Ferroelectric FETs
di: Ren, Pengyu, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Ren, Pengyu, et al.
Pubblicazione: (2026)
Cryogenic Characterization of Ferroelectric Non-volatile Capacitors
di: Vadlamani, Madhav, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Vadlamani, Madhav, et al.
Pubblicazione: (2025)
KnobCF: Uncertainty-aware Knob Tuning
di: Yan, Yu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Yan, Yu, et al.
Pubblicazione: (2024)
Ferroelectric and Optoelectronic Coupling Effects in Layered Ferroelectric Semiconductor‐Based FETs for Visual Simulation
di: Can Zhao, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Can Zhao, et al.
Pubblicazione: (2025)
Proxima: Near-storage Acceleration for Graph-based Approximate Nearest Neighbor Search in 3D NAND
di: Xu, Weihong, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Xu, Weihong, et al.
Pubblicazione: (2023)
HapKnob -- A Motorized Shape-changing Haptic Knob Interface
di: Gong, Zhili, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Gong, Zhili, et al.
Pubblicazione: (2024)
HDDB: Efficient In-Storage SQL Database Search Using Hyperdimensional Computing on Ferroelectric NAND Flash
di: Zhao, Quanling, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhao, Quanling, et al.
Pubblicazione: (2025)
REVERBERATION MAPPING OF THE SEYFERT 1.5 GALAXY H 0507+164
di: S. Jeyakumar
Pubblicazione: (2011)
di: S. Jeyakumar
Pubblicazione: (2011)
Embedding-Enhanced Probabilistic Modeling of Ferroelectric Field Effect Transistors (FeFETs)
di: Afee, Tasnia Nobi, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Afee, Tasnia Nobi, et al.
Pubblicazione: (2025)
Stochastic global optimization of continuous functions via random walks on Grassmannians
di: Gupta, Kartik, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Gupta, Kartik, et al.
Pubblicazione: (2026)
HAMLET: Switch your Vision-Language-Action Model into a History-Aware Policy
di: Koo, Myungkyu, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Koo, Myungkyu, et al.
Pubblicazione: (2025)
Controllable Context Sensitivity and the Knob Behind It
di: Minder, Julian, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Minder, Julian, et al.
Pubblicazione: (2024)
High-Performance Nonvolatile Spin FETs from 2D Metallic Ferromagnetic and Ferroelectric Multiferroic Heterostructure
di: Liu, B., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Liu, B., et al.
Pubblicazione: (2025)
Gate‐Switchable BST Ferroelectric MoS2 FETs for Non‐Volatile Digital Memory and Analog Memristor
di: Chao Tan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Chao Tan, et al.
Pubblicazione: (2024)
Green Synthesis of Nickel Oxide Nanoparticles Using Leaf Extract of Aegle marmelos and Their Antibacterial, Anti‐Oxidant, and In Vitro Cytotoxicity Activity
di: Jawahar Sukumaran, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Jawahar Sukumaran, et al.
Pubblicazione: (2025)
System-Technology Co-Optimization of Bitline Routing and Bonding Pathways in Monolithic 3D DRAM Architectures
di: Lee, Kiseok, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Lee, Kiseok, et al.
Pubblicazione: (2026)
Self-supervised Adversarial Purification for Graph Neural Networks
di: Lee, Woohyun, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Lee, Woohyun, et al.
Pubblicazione: (2026)
Integrated Communication and Bayesian Estimation of Fixed Channel States
di: Seo, Daewon
Pubblicazione: (2025)
di: Seo, Daewon
Pubblicazione: (2025)
Unveiling Retention Loss Mechanism in FeFETs with Gate-side Interlayer by Decoupling Trapped Charges and Ferroelectric Polarization
di: Han, Runhao, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Han, Runhao, et al.
Pubblicazione: (2025)
Hafnia-based Phase-Change Ferroelectric Steep-Switching FETs on a 2-D MoS$_2$ platform
di: Sanjay, Sooraj, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Sanjay, Sooraj, et al.
Pubblicazione: (2024)
Low‐Frequency Noise Spectroscopy for Navigating Geometrically Varying Strain Effects in HfO 2 Ferroelectric FETs
di: Ryun‐Han Koo, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Ryun‐Han Koo, et al.
Pubblicazione: (2025)
Gastrointestinal Cancer Risk in Steatotic Liver Diseases: MASLD , MetALD and ALD
di: Nobuharu Tamaki, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Nobuharu Tamaki, et al.
Pubblicazione: (2025)
Dual‐Layer‐Per‐Array Operation Using Local Polarization Switching of Ferroelectric Tunnel FETs for Massive Neural Networks
di: Jae Seung Woo, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jae Seung Woo, et al.
Pubblicazione: (2024)
Documenti analoghi
-
Physics-informed AI Accelerated Retention Analysis of Ferroelectric Vertical NAND: From Day-Scale TCAD to Second-Scale Surrogate Model
di: Jeong, Gyujun, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Materials Design Principles for Large Memory Windows: Coercive Voltage Engineering in Ferroelectric– Dielectric Heterostructures
di: Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Materials Design Principles for Large Memory Windows: Coercive Voltage Engineering in Ferroelectric– Dielectric Heterostructures (Adv. Electron. Mater. 8/2026)
di: Prasanna Venkatesan, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Vertical NAND in a Ferroelectric-driven Paradigm Shift
di: Kim, Giuk, et al.
Pubblicazione: (2025) -
FeNOMS: Enhancing Open Modification Spectral Library Search with In-Storage Processing on Ferroelectric NAND (FeNAND) Flash
di: Pinge, Sumukh, et al.
Pubblicazione: (2025)