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Depletion-mode N-polar AlN-based high electron mobility transistors with improved on/off ratios

Fuente: arXiv

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Hauptverfasser:	Yang, Xu, Zhang, Sheng, Wei, Ke, Wang, Xinhua, Liu, Xinyu, Furuhashi, Itsuki, Pristovsek, Markus
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Materials Science
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