Dorostkar, B. (2018). DC ANALYSIS OF p-n-p-n TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR BASED ON In₀.₃₅Ga₀.₆₅As. Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte.
Style de citation Chicago (17e éd.)Dorostkar, Behnam. DC ANALYSIS OF P-n-p-n TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR BASED ON In₀.₃₅Ga₀.₆₅As. Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte, 2018.
Style de citation MLA (9e éd.)Dorostkar, Behnam. DC ANALYSIS OF P-n-p-n TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR BASED ON In₀.₃₅Ga₀.₆₅As. Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte, 2018.
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