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| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Language: | es |
| Published: |
Universidad Nacional de Colombia
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=49624958017 |
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Table of Contents:
- EFECTOS ESTRUCTURALES EN EL SEMICONDUCTOR INSB, POR LA APLICACIÓN DE DIFERENTES MÉTODOS DE PRESIÓN MIRYAM R. JOYA JOSE J. BARBA PAULO S. PIZANI Ingeniería Insb Raman presión indentación transformación estructural de fase En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el Antimoneto de Indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio. 2012 artículo científico 0012-7353 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=49624958017 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=496 Dyna application/pdf Universidad Nacional de Colombia Dyna (Colombia) Num.175 Vol.79