Molina, J. (2014). Memristance effect of metal-insulator-metal structures using Al2O3 film as active layer for emergent memory devices. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Molina, J. Memristance Effect of Metal-insulator-metal Structures Using Al2O3 Film as Active Layer for Emergent Memory Devices. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2014.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Molina, J. Memristance Effect of Metal-insulator-metal Structures Using Al2O3 Film as Active Layer for Emergent Memory Devices. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2014.
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