P‐21: Post‐Annealing Optimization for Top‐Gate Amorphous In‐Ga‐Zn‐O Thin‐Film Transistors with Atomic‐Layer‐Deposited Ultrathin AlO x Dielectric

Fuente: Wiley Open Access

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Jiye Li, Huan Yang, Xiao Li, Yuqing Zhang, Xinwei Wang, Lei Lu, Shengdong Zhang
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	SID Symposium Digest of Technical Papers
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